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TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

更新時間:2024-10-23      瀏覽次數(shù):488

什么是TOF SIMS? 它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?能提供哪些信息?哪些樣品適用(哪些不適用)?在這一系列文章中,我們將解答所有這些問題,以及更多探討。

飛行時間二次離子質(zhì)譜法(ToF SIMS)是一種用于研究固體表面和薄膜的三維化學(xué)組成的表面分析技術(shù)。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

聚焦的一次離子束轟擊目標表面,產(chǎn)生中性原子/分子、二次離子和電子。二次離子通過飛行時間質(zhì)譜儀進行收集和分析。質(zhì)譜儀通過精確測量離子到達探測器所需的時間(即“飛行時間")來測量離子的質(zhì)荷比(m/z)。

通過掃描一次離子束在樣品表面的區(qū)域,可以逐像素形成表面的化學(xué)圖譜??茖W(xué)家和技術(shù)人員在學(xué)術(shù)和工業(yè)環(huán)境中每天都會使用飛行時間二次離子質(zhì)譜儀進行基礎(chǔ)研究、常規(guī)分析和質(zhì)量控制。

多年來,一次離子束的局限性使得分析僅限于原子種類和小分子。隨著儀器和離子束設(shè)計的進步,現(xiàn)代儀器現(xiàn)在可以常規(guī)地成像大的完整分子。這些新功能使得新應(yīng)用如雨后春筍般涌現(xiàn),越來越多的生物及生物相關(guān)領(lǐng)域的論文開始采用TOF SIMS技術(shù)。


ToF SIMS儀器剖析

ToF SIMS儀器通常比實驗室中常見的其他分析儀器體積更大、價格更昂貴。需要在高真空環(huán)境下(< 1×10-6 mbar)操作,以防止空氣中的氣體分子和離子發(fā)生碰撞,因此需要更大的真空泵、更堅固的密封,以及額外的防止泄露的預(yù)防措施。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

1.離子束轟擊樣品,釋放出二次離子、電子和中性原子。2.二次離子被收集。3.二次離子被冷卻并聚焦到質(zhì)譜儀中。4. 質(zhì)譜儀記錄離子的飛行時間,并將其轉(zhuǎn)換為質(zhì)譜。


主要組件次要組件
樣品分析腔體(SAC)樣品導(dǎo)入系統(tǒng)
初級離子束低溫冷卻用于低溫分析
二次離子提取光學(xué)器件電荷補償,如離子
質(zhì)譜儀二次電子成像






ToF SIMS的主要優(yōu)勢

  • 空間分辨率:因為光束尺寸小到幾百納米,ToF SIMS實現(xiàn)了比其他成像方法更高的空間分辨率。

  • 速度:飛行時間質(zhì)譜儀的工作速率遠高于其他質(zhì)譜技術(shù),ToF SIMS儀器可以每秒1000像素的速度運行。

  • 3D成像:通過在同一區(qū)域上多次掃描表面并去除少量物質(zhì),ToF SIMS能夠逐層建立材料的3D地圖。

  • 靈敏度:由于斑點尺寸小且撞擊坑淺,這需要非常小心地防止信號丟失。因此,SIMS通常比其他形式的質(zhì)譜法更靈敏。

  • 動態(tài)范圍:ToF SIMS光譜中離子范圍廣泛,從單個氫離子到幾千道爾頓大小的完整蛋白質(zhì)分子都可覆蓋。

  • 應(yīng)用:ToF SIMS具有廣泛應(yīng)用領(lǐng)域,涵蓋冶金、基礎(chǔ)生物學(xué)以及介于兩者之間的大多數(shù)領(lǐng)域。


ToF SIMS的應(yīng)用

ToF SIMS提供了樣品詳細的三維化學(xué)圖像,揭示了組成樣品的原子和分子信息、它們的分布以及任何存在的污染。這種類型的信息對于許多應(yīng)用領(lǐng)域都具有重要意義,包括學(xué)術(shù)研究實驗室、工業(yè)質(zhì)量控制和研究機構(gòu)每天都在使用ToF SIMS。材料科學(xué)、分析化學(xué)、生物學(xué)、地質(zhì)學(xué)、制藥科學(xué)等眾多領(lǐng)域都能從ToF SIMS提供的詳細化學(xué)信息中獲益。

2D成像

2D成像是ToF SIMS應(yīng)用中最常見的操作模式之一,通過離子束掃描表面,在每個像素處獲取質(zhì)譜數(shù)據(jù)。

圖像分辨率范圍廣泛,從幾百像素到400多萬像素不等。單個質(zhì)量通道圖像顯示了離子在視場中精確的分布情況,而疊加多個質(zhì)量通道可以展示不同離子之間以及其分布之間的關(guān)系。

下圖展示了三個單獨離子圖像和一個覆蓋圖像,代表著生物組織樣本中不同成分。



TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

光譜測定法

分析ToF SIMS光譜可以提供樣品的原子或分子組成信息,并能提供各種化合物的總體豐度信息。在某些情況下,也可以確定原子比率,但這需要對樣品進行嚴格控制并謹慎使用參考材料。

大多數(shù)主流的ToF SIMS儀器都配備了串聯(lián)質(zhì)譜(Tandem mass spectrometry)功能,這對于可靠地識別離子非常有用。Tandem MS也被稱為MS/MS或MS2,涉及隔離感興趣的二次離子,然后將其裂解,并收集產(chǎn)生的碎片形成質(zhì)譜。通過分析子離子峰,可以以很高的精度確定母離子。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

通過在TOF-SIMS儀器上獲得的組織樣品中進行磷脂物種的串聯(lián)質(zhì)譜分析,確認了母離子為PC34:1+K,并且碎片模式證實了這一結(jié)果。


深度剖析

深度剖面分析是一種強大的分析模式,它通過垂直蝕刻樣品并獲取每層質(zhì)譜來實現(xiàn)。結(jié)果是得到了采樣體積中所有原子/分子的輪廓。使用大簇離子可以減少對亞表層的破壞,并最大限度地降低層間混合,從而提高深度分辨率。通過正確選擇離子束和樣品組合,可以實現(xiàn)低至幾納米的深度分辨率。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

通過使用NIST Ni/Cr標準參考物質(zhì)和C60光束進行深度剖面分析,可以展示出5 nm的高分辨率。

3D成像

與其他質(zhì)譜和分析技術(shù)相比,ToF SIMS的特別之處在于其能夠獲取3D數(shù)據(jù)集。類似于深度剖析,3D分析需要重復(fù)獲取許多2D層,并通過蝕刻材料來建立樣品的三維視圖。對于3D分析而言,大簇離子是理想選擇,因為它們對樣品造成的損傷較小,可以同時用于蝕刻和分析。

不同于AFM等能夠捕獲樣品三維地形的技術(shù),SIMS無法區(qū)分3D物體和平面物體。該技術(shù)zui適用于表面以下有興趣層的平面樣品。雖然重建非平面樣品的地形是可能的;但這需要事先了解材料結(jié)構(gòu)。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀

這是使用70kV水簇初級離子束獲得的OLED屏幕的3D ToF SIMS圖像。根據(jù)顏色的不同,RGB子像素單元在表面處的距離也不同。




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