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ICP等離子刻蝕機(jī)
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ICP等離子刻蝕機(jī) NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機(jī)概述:是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。
NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機(jī)主要特點:
基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng),擁有快速的刻蝕能力;
配套Lab View軟件,菜單驅(qū)動,自動記錄數(shù)據(jù);
觸摸屏監(jiān)控;
全自動系統(tǒng),帶安全聯(lián)鎖;
四級權(quán)限,帶密碼保護(hù);
手動上下載片;
可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式;
實時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實時顯示;
NRE-4000(ICPM)配置內(nèi)容:
外觀尺寸:緊湊型立柜式設(shè)計,不銹鋼腔體,外觀尺寸為44"(W) x 26"(L) x62"(H);
等離子源:NM-ICP平面電感耦合等離子體源,帶有自動調(diào)諧器,激活面積可以達(dá)到8";
處理腔體:13"的圓柱形超凈腔體,材質(zhì)為陽極電鍍鋁。晶片通過氣動頂蓋裝載,腔體帶有上載安全鎖,用戶可以通過PC控制,至多可以裝載8個小尺寸基片,可支持的晶圓尺寸為8"。腔體帶有2"的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8"區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。
樣品臺:6"的托盤夾具,能夠支持6"的Wafer??梢岳鋮s到-120攝氏度(包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)),并采用He氣實現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊,微精細(xì)地控制He氣流量,包含氣動截止閥;
流量控制:支持6個或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計,從而減低空間浪費并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后,采用N2自動沖洗。
真空系統(tǒng):泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
RF電源:13.56MHz,帶自動調(diào)諧功能的1200W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
操作控制:整個系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),實現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級權(quán)限控制。
ICP等離子刻蝕機(jī) NRE-4000(ICPM)應(yīng)用領(lǐng)域:
LED
MEMS
光柵
激光器
微光學(xué)
聲光器件
高頻器件/功率器件
量子器件
光子晶體
探測器等